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Product Info: |
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| Current product | First Similar product | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Image: |
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| Mouser Part No: | 726-IMBG65R039M1HXTM | 726-IMBG65R040M2HXTM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mfr.'s Part No: | IMBG65R039M1HXTMA1 | IMBG65R040M2HXTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Manufacturer: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Description: | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lifecycle: | Not Recommended for New Designs | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Datasheet: | IMBG65R039M1HXTMA1 Datasheet (PDF) | IMBG65R040M2HXTMA1 Datasheet (PDF) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Specifications |
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| Brand: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Channel Mode: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Country of Assembly: | MY | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Country of Diffusion: | AT | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Country of Origin: | MY | MY | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Continuous Drain Current: | 54 A | 49 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | + 175 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | - 55 C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mounting Style: | SMD/SMT | SMD/SMT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Number of Channels: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Packaging: | Reel | Reel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pd - Power Dissipation: | 211 W | 197 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Product: | MOSFETs | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Product Type: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Gate Charge: | 41 nC | 28 nC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms | 49 mOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Series: | CoolSiC 650V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Standard Pack Qty: | 1000 | 1000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategory: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Technology: | SiC | SiC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tradename: | CoolSiC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transistor Polarity: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | 650 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 5 V, + 23 V | - 7 V, + 23 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V | 5.6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Part # Aliases: | IMBG65R039M1H SP005539169 | IMBG65R040M2HXTMA1 SP005917207 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fall Time: | - | 4.6 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Package/Case: | - | TO-263-7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rise Time: | - | 8.3 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Typical Turn-Off Delay Time: | - | 14.4 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Typical Turn-On Delay Time: | - | 8.4 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ordering Information |
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| Stock: | Non-Stocked | 1,450 Can Dispatch Immediately | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Factory Lead Time: | 52 Weeks Estimated factory production time. | 52 Weeks Estimated factory production time for quantities greater than shown. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Pricing: |
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† A MouseReel™ fee of €5.00 will be added and calculated in your basket. All MouseReel™ orders are non-cancellable and non-returnable.
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